手機是人們的交流必備工具和生活必需品，而充電器又是手機長久運行的必需品，雖然我們每天都會使用充電器，但似乎很少有人會思考充電器怎么才能更好用。最近很火的氮化鎵（GaN），這是一項可能會顛覆你之前對充電器認知的技術。

今年，一種新的充電科技逐漸進入消費者的視野——氮化鎵，它讓的出現被稱為未來完美充電器的解決方案，聽起來就很黑科技。

是由氮和鎵組成的一種半導體材料（分子式GaN，英文名稱Gallium nitride）。作為半導體材料的新晉成員，“氮化鎵”這一新興半導體材料的誕生，猶如平地一聲雷，以其優勢特性，橫掃其他眾多半導體材料。是一種極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度。正因為其特征，成為了研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。是第三代半導體材料。技術革命快速滲入：射頻、電信基礎設施5G宏基站建設、國防、快充、汽車電子、消費電子、以及快充等等領域。

首先，氮化鎵制成的充電頭體積小，充電頭中的氮化鎵，是一種可以代替硅、鍺的新型半導體材料，由它制成的氮化鎵開關管,開關頻率大幅度提高，損耗卻更小。開關的頻率高就可以可以減少變壓器和電容的工作壓力以減小體積，所以氮化鎵充電頭的體積會比一般的充電頭更小。第二就是功率大，氮化鎵的帶隙比硅高得多，這就意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，會讓電子產品的用電量減少10%~25%。當然不止省電費，主要還是充電更快！最后就是易散熱了，氮化鎵半導體與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200℃以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠最小化過度充電的可能性。